×

هشدار

JUser: :_بارگذاری :نمی توان کاربر را با این شناسه بارگذاری کرد: 365

نویسندگان: محمد رسول

عنوان مقاله: جهانگیری

چکیده: این مقاله یک طرح جدیدی در ساختار ترانزیستور های اثر میدان (SOI MOSFET )، می باشد. این ساختار با عنوان راه کاری مناسب باعث افزایش جریان درین، کاهش اثرات مخرب خود گرمایی (Self Heating Effect) و بهبود اثر بدنه شناور می شود. ایده اصلی در این ساختار نوین، استفاده از ماده 1AlSb ( آلومینیوم آنتیموان) می باشد، که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به دی اکسید سیلیسیم (SiO2) است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ساختار نوین باعث می شود که حرارت بیشتری به لایه های زیرین انتقال یابد و سبب کاهش میزان دما و افزایش جریان درین در ترانزیستور می شود. همچنین تمرکز منافذ در کانال و زیر منبع در ساختار نوین نسبت به ساختار متداول کمتر می باشد که باعث بهبود اثر بدنه شناور می شود. به کمک شبیه سازی سیلواکو، عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.
واژه های کلیدی: ترانزیستور اثر میدان، گالیم آرسینیک، آلومینیوم آنتیموان
all right reserved,aliabadiau.ac.ir
تمامی حقوق این سایت برای دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول محفوظ می باشد.